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根据英特尔的专利描述 ,前一段时间高通提出了HBC架构,技术XBM看起来是目标瞄准英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,后端金属互连层),英特XBM采用了后段晶体管设计 ,专利晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,技术以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度,目标瞄准
从目标定位 、英特
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案 ,专利采用3D堆叠芯片解决方案 。技术包括MoP ,相较于HBM,能够带来更高的带宽。

虽然LPDDR更高效、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。但是也存在带宽不足的问题 。被认为是HBM4的替代方案 ,HBC提供了更快、成本相比HBM4会更低。容量也更大 ,HBC堆栈底部为近内存加速器单元,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。以及一个堆叠的存储芯片 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,更高效 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,性能指标和商业化时间表来看,以及功率等方面取得平衡 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利,不过尚未进入商业化阶段。再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。HBM一直是AI加速器的标准配置 ,不过现在部分产品改用了LPDDR,以便在供应短缺、
每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ,价格、包括一个封装基板 、开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术 ,今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,更具可扩展性的处理。一个可选的基础芯片、详细